前   述：立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)是一种碳化硅晶体结构属于立方晶系。它具有与金刚石相似的晶体结构，但晶格常数和原子间距略有不同。3C-SiC的晶格常数为a = 4.358A ，每个晶胞包含两个碳原子和一个硅原子。在晶体结构中，碳原子和硅原子以等间距排列并形成立方晶格。它的晶体结构空间群为F-43m。在晶体结构中，碳原子和硅原子交替排列形成连续的Si-C键。3C-SiC的晶体结构是立方晶系的，具有碳原子和硅原子交替排列的特点。

     立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)性能与金刚石接近，光洁度及研磨抛光性能远超α-SiC(黑碳化硅和绿碳化硅)和白刚玉系列。在1600℃以上温度时立方碳化硅（β-SiC）仍具有较高的强度。

HP-SiC

高纯度碳化硅

3C-SiC

立方碳化硅

3C-Silicon Carbide

纯    度：2N-6N（**纯度：99.99994%）

结    构：3C (β-SiC）属于立方碳化硅

特    点：3C-SiC碳化硅微粉具体吸波性能好、晶型完整、导热系数高，电子迁移率、击穿电场强

度、相对介电常数等电学                  

性能各向同性等特点，同时还具有高硬度，耐高温，耐热震，耐腐蚀，耐辐射等优良性能。

用    途：广泛应用于电子、信息、精密加工、**、航空航天、高级耐火材料、特种陶瓷材料、

高级磨削材料和复合增强添加材料等领域。

粒度规格：

工业级3C-SiC粉料纯度检测值

化学成分：